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2026-07-27 00:33:46

超低功耗8位微控制器

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超低功耗8位微控制器(图1)

  MS 8 5 是 单 个 器件 ,具 有 提 供 4 C 14 GHzD P 理 功 率 的 S处

  F 0 微控制 器系列具 有的 电容 数字转换器( ,可 80 CDC)

  1 位定时器以及多达4 串行通信接 口 ( UART、S I 6 个 如 P 和

  IC );拥有 多种小型封装选项 ,如4 引脚QF 与QFN封 2等 8 P 装、6 引脚QF 4 N封装以及8 引脚QFP 0 与BGA 封装 ;全面集

  MS 4 0 5x 的主要特性包括 :5 种低功耗模式 ,其 P 3F 5 x 中工作 电流2 0 A/ 0 MHz ,待机模式 下电流为2 5 A,待 .

  S TM 8 1 1 列是 S L 0系 TM8 超 低功 耗 8 微 控 制 器 的入 门 L 位

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  C 0l80 8 5 F 0 微控 制器 系列可提供 业界最快 速的 电容 式 触摸感应功 能。利用Sl o L b 的技术 ,F 0 系列能 让 icn as i 80

  开 发 人 员 将 精 密 复 杂 的 触 摸 感 应 界 面 加 入 各 式 各 样 的消 费 始量 产 。

  数字转换 器具 备4 s 0 获取时 间,结 合一个2 MI 中央处 5 PS 理器( ,可 提供精密 及快 速反应 的触 摸感应功 能 ,足 CPU)

  以 取 代 机 械 式 按 钮 、 滚 轴 和 滚 轮 。 先 进 的 1 位 分 辨 率 让 电 6

  该处理 器具 有高 速的标准 接 V 双s O、双SGM I 、双 I( RI I DD R一3 以及PC — x rs )以及带高速DDR接 口的大型嵌 I E p es

  在 终 端 产 品 中实 现 最 佳 的 触 摸 感 应 功 能 。此 高 分 辨 率 电 容

  4 个完全可编程的 1 GHz D P内核 ,以及创新 的MAP E B S L - 多标 准 基带 专 用加 速 器 。这 种 组合 在单 个 片上 系 统 中提

  供 , 非 常 适 合 成 本 优 化 的 系 统 。 这 个 业 内 领 先 的 SC 8 0 3 5 D P 核 支持 M S 8 5 交 付高 达 3 GMACS 1位 性 能 。 S 内 C 14 2 的 6

  第二个产 品线 x目前正在 向客户提供测试 样 L5 片 ,增 ̄ 3 KB H 2 片上闪存 、最大达2 的S KB RAM、外部晶振

  器 、更 多 的 模 拟 功 能 、实 时 时 钟 和 快 速 模 数 和 数 模 转 换 功

  存密度高达8 KB,有2 引脚 、2 引脚 和 3 引脚 封 装 可选 。 0 8 2

  工作模式 下仅消耗 不足2 0 A电流 的 1位 或 l位 ADC 0 0 2 选 项以及适用于广泛应用领域 的亚微安(u - c o mp级 s b mir a )

  超 低 功 耗 比 较 器 ;集 成 型 智能 外 设 ,包 括 硬 件 乘 法 器 、4 " 4

  机 模 式 下 的 唤 醒 时 间 不 足 5 S 实现 了业 界 最 低 功 耗 ,可 ,

  显 著延 长电池使用寿 命 ;覆盖8 2 KB 的更宽泛快 闪存 ~1 8

  储 范 围 , 可 提 供 简便 的 迁 移 路 径 ;高 性 能 模 拟 ,其 中包 括

  能。片上EE PROM具 有真正的读 写同步 ( w )功能 , Rw 省去在 闪存 内进行复杂且昂贵 的仿真测试 。 第三个产品线 多集成 一个液 晶显示器控制单 元。S TMS 1 lN TM8 12 L 5 ̄ S L 5 两条产品线

  容数字 转换器和 固件可 以补偿在原 型和生 产阶段的形 状和 厚 度落 差 ,使F8 0 0 微控 制 器非 常精 确 ,又可 以通 过设 定

  T r s od 以避 免误 触 ,进 而 改 善 终 端 产 品 的可 靠 性 。 电 h eh l值 容 数 字 转 换 器 所需 的 CPU资 源 极 少 ,这 让 微 控 制 器 得 以 执 行 其 他 任 务并 增进 系统 性 能 。

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